Пластины нелегированного полуизолирующего арсенида галлия

Микросхемы на основе арсенида галлия широко применяются в производстве мобильных телефонов, устройств спутниковой связи, микроволновых приборов и некоторых радарных систем. Транзисторы из арсенида галлия работают на высоких частотах, что становится возможным благодаря особым свойствам полупроводникового материала.

Параметр	Единицы измерения	Значение
Метод выращивания		VGF, LEC
Диаметры пластин	мм	50.8, 76, 100, 125*, 150, 200
Толщины	мкм	250, 350, 400, 450, 625, 675
Тип проводимости/легирующая примесь		n / Si, Te, C p / Zn n / нелегированный
Удельное сопротивление	Ом×см	Полуизолирующий >1×105
		Полупроводящий >1×10-3
Концентрация носителей	см-3	p 1×1017 ÷ 5×1019
		n  1×1016 ÷ 4×1018
Ориентация		(100), (110), (111)
Плотность дислокаций (EPD)	см-2	Минимальная <100 (VGF, полупроводящий)
		Средняя 1000-10000
		Максимальная от 10000 до 10000
Срезы, выемки		По стандартам SEMI или EJ, либо по спецификации заказчика
TTV	мкм	3 −10
Подвижность носителей	см2В-1с-1	Полуизолирующий 2000<µ<6000, >6000*
		Полупроводящий n: 1-2,5×103, p: 50-120
Лицевая сторона		Зеркальная, полированная
Обработка обратной стороны		Шлифованная, шлифовано-травленная, полированная
Отклонение направления среза от заданной кристаллографической ориентации	град.	±0,5
Отклонение поверхности от заданной кристаллографической ориентации	град.	±0,1

Упаковка

Пластины КНИ упакованы в стандартные контейнеры по 25 пластин. Пластины с малой толщиной могут быть упакованы в индивидуальные контейнеры. Все контейнеры упаковываются производителями в чистых помещениях класса не хуже ISO 5 и помещаются в металлизированный пакет, обеспечивающий защиту от влаги и вредных газов, содержащихся в атмосфере.

Хранение и транспортировка

Срок годности пластин неограничен при условии хранения в инертной среде. Пластины хранятся в специальных шкафах, наполненных азотом и при пониженной влажности воздуха. Транспортировка пластин осуществляется согласно правилам перевозки хрупких грузов.